transient electron excess

  • 释义

    瞬变电子过剩现象

数据更新时间:2026-08-21 16:51:49
1、

Sano model and deduced by the rate equations for excess electron and excess hole, can be used in DC analysis, AC analysis and transient analysis. The result of DC photoelectric characteristic simulation coincided with the experiment very well.

Sano模型为基础,结合过剩电子、空穴速率方程得到的,可用于直流分析、交流分析和瞬态分析,其直流光电特性模拟分析结果与已报道的实验结果符合得很好。

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